- Samsung Electronics eroberte im dritten Quartal 2025 mit einem Speicherumsatz von 19,4 Milliarden US-Dollar die Spitzenposition auf dem globalen Speichermarkt zurück, während SK Hynix mit 17,5 Milliarden US-Dollar den zweiten Platz belegte.
- Samsung konnte dank der starken Nachfrage nach konventionellem DRAM und NAND die Führung zurückerobern, während für High Bandwidth Memory (HBM), das in diesem Jahr verhalten blieb, ab 2026 mit der Einführung von HBM3E und HBM4 ein deutliches Wachstum erwartet wird.
- Counterpoint erwartet, dass Samsung im nächsten Jahr eine deutliche Wachstumsdynamik verzeichnen wird, die durch HBM3E und die breitere Einführung von HBM4 getrieben wird.
Seoul, Peking, Berlin, Buenos Aires, Fort Collins, Hongkong, London, Neu-Delhi, Taipeh, Tokio – 15. Oktober 2025
Der Speicherumsatz von Samsung Electronics stieg im dritten Quartal 2025 auf 19,4 Milliarden US-Dollar und markierte damit laut dem Memory Tracker von Counterpoint Research die Rückkehr des südkoreanischen Unternehmens zum weltweit führenden Speicheranbieter . Samsungs Leistung im Quartal war auf die starke Nachfrage nach konventionellem DRAM und NAND zurückzuführen. SK Hynix belegte mit einem Quartalsumsatz von 17,5 Milliarden US-Dollar weltweit den zweiten Platz.
Quelle: Counterpoint Research Memory Tracker
Samsung erzielte im dritten Quartal 2025 in mehreren Geschäftsbereichen starke Ergebnisse und konnte damit die schwache Entwicklung zu Beginn des Jahres ausgleichen. Im Speichersegment hatte das Unternehmen im ersten Quartal 2025 die DRAM-Führung an SK Hynix abgegeben und rutschte im zweiten Quartal 2025 auf den zweiten Platz im gesamten Speichermarkt ab, bevor es im dritten Quartal 2025 wieder auf Platz 1 aufstieg.
Im Smartphone-Geschäft spielte die Einführung der neuen Galaxy Z7-Serie eine entscheidende Rolle und führte zu einem Anstieg des Anteils faltbarer Smartphones. Laut Market Pulse von Counterpoint Research stiegen auch die Smartphone-Absätze von Samsung in den ersten beiden Monaten des dritten Quartals im Vergleich zum Vorjahr, was die solide Marktdynamik unterstreicht.
„Samsung hatte im ersten Halbjahr aufgrund der schwachen HBM-Performance mit Herausforderungen zu kämpfen, konnte in diesem Quartal aber erfolgreich die Spitzenposition im globalen Speichermarkt zurückerobern“, sagte Jeongku Choi, Senior Analyst bei Counterpoint Research . „Diese Erholung spiegelt das starke Engagement des Unternehmens für Produktqualität und operative Exzellenz wider. Obwohl Samsung die Führung im DRAM-Markt knapp verpasst hat, erwarten wir im nächsten Jahr ein deutliches Wachstum, angetrieben von HBM3E und der breiteren Verbreitung von HBM4“, fügte Choi hinzu.
